[15p-W8E_307-1~16] 15.6 IV族系化合物（SiC）

16:30 〜 16:45

[15p-W8E_307-12] SiC-m面上のSi酸窒化原子層膜の形成と構造評価

〇森 潤平¹、クトゥル シュクラン¹、寺尾 豊²、顏 聆倫³、洪 儒生³、ビシコフスキー アントン¹、田中 悟^1,3 (1.九大院工、2.富士電機先端研、3.台湾科技大)

キーワード：

SiC、m面、Si酸窒化膜

SiC(0001)面上のSiON原子層膜はSiC-MOSFETにおける界面特性の改善に可能性があり、現在は(1-100)m面トレンチ構造チャネルも実用されつつある。本研究では、4H-SiC(1-100)エピタキシャル基板にN₂アニールを行い、XPS 、LEED、AFMを用いて調べた。XPSよりN-Si結合を示すピークが観察された。また、時間分解PL測定の結果についても報告する。