[15p-W8E_307-1~16] 15.6 Group IV Compound Semiconductors (SiC)

5:00 PM - 5:15 PM JST(8:00 AM - 8:15 AM UTC)

[15p-W8E_307-14] Relationship Between (0001) Lattice Plane Spacing and Resistivity in Hopping Conduction Region in p-Type 4H-SiC Epilayers with Al Concentration of 2.5×10¹⁹ cm^-3

〇Atsuki Hidaka¹, Tomoya Narita¹, Shouki Kurose¹, Yuuma Kikuchi¹, Hiromu Umeuchi¹, Mitsuhide Iwatsuki¹, Rina Hamada¹, Hideharu Matsuura¹, Shiyang Ji², Kazuma Eto², Kazutoshi Kojima², Tomohisa Kato², Sadafumi Yoshida² (1.OECU, 2.AIST)

Keywords:

p-type 4H-SiC,Heavily Al-doped

オフ角のあるn型4H-SiC基板にCVD法で成膜した、Al濃度が2.5×10¹⁹ cm^-3のp型4H-SiCでのホッピング伝導領域においてオフ角が大きいと、抵抗率が高くなり、XRD測定での(0001)面の格子面間隔が大きくなることが分かった。これらのオフ角依存性から、ρ(T)と(0001)面の格子面間隔に相関関係のあることが分かった。