[15p-W8E_307-1~16] 15.6 IV族系化合物（SiC）

17:00 〜 17:15

[15p-W8E_307-14] Al濃度2.5×10¹⁹ cm^-3のp型4H-SiCエピ膜のホッピング伝導領域
での抵抗率と(0001)面の格子面間隔との関係性

〇日高 淳輝¹、成田 智哉¹、黒瀬 翔輝¹、菊地 佑真¹、梅内 滉武¹、岩槻 光栄¹、濱田 梨那¹、松浦 秀治¹、紀 世陽²、江藤 数馬²、児島 一聡²、加藤 智久²、吉田 貞史² (1.大阪電気通信大学、2.産業技術総合研究所)

キーワード：

p型4H-SiC、高濃度Alドープ

オフ角のあるn型4H-SiC基板にCVD法で成膜した、Al濃度が2.5×10¹⁹ cm^-3のp型4H-SiCでのホッピング伝導領域においてオフ角が大きいと、抵抗率が高くなり、XRD測定での(0001)面の格子面間隔が大きくなることが分かった。これらのオフ角依存性から、ρ(T)と(0001)面の格子面間隔に相関関係のあることが分かった。