[15p-W8E_307-1~16] 15.6 Group IV Compound Semiconductors (SiC)

5:15 PM - 5:30 PM JST(8:15 AM - 8:30 AM UTC)

[15p-W8E_307-15] Temperature dependence of mobility for nearest-neighbor hopping in heavily Al-doped 4H-SiC

〇Tomoya Narita¹, Atsuki Hidaka¹, Hideharu Matsuura¹, Shiyang Ji², Kazuma Eto², Kazutoshi Kojima², Tomohisa Kato², Sadafumi Yoshida² (1.Osaka Electro-Communication Univ, 2.AIST)

Keywords:

nearest-neighbor hopping,Al-doped 4H-SiC

高濃度Alドープ4H-SiCの、最近接ホッピング（NNH）伝導において、キャリア移動度の温度依存性はアレニウス則に従う事が分かった。さらにAlアクセプタのエネルギー準位に分布があると考える事で、キャリア移動度の活性化エネルギーを説明できることも分かった。