講演情報
[15p-W8E_307-15]高濃度Alドープ4H-SiCでの最近接ホッピングの移動度の温度依存性
〇成田 智哉1、日髙 淳輝1、松浦 秀治1、紀 世陽2、江藤 数馬2、児島 一聡2、加藤 智久2、吉田 貞史2 (1.大阪電気通信大学、2.産総研)
キーワード：
最近接ホッピング、Alドープ4H-SiC
高濃度Alドープ4H-SiCの、最近接ホッピング（NNH）伝導において、キャリア移動度の温度依存性はアレニウス則に従う事が分かった。さらにAlアクセプタのエネルギー準位に分布があると考える事で、キャリア移動度の活性化エネルギーを説明できることも分かった。