[15p-W8E_307-1~16] 15.6 Group IV Compound Semiconductors (SiC)

2:00 PM - 2:15 PM JST(5:00 AM - 5:15 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[15p-W8E_307-3] Analysis of High-Resistivity 4H-SiC Bulk Crystal Grown by High Temperature Chemical Vapor Deposition

〇Fumihiro Fujie¹, Satoshi Matsuzawa¹, Satoshi Asada¹, Dai Kutsuzawa¹, Tomohiro Shonai², Hidekazu Tsuchida¹ (1.CRIEPI, 2.Resonac Corporation)

Keywords:

silicon carbide,high temperature chemical vapor deposition,high resistivity

高温CVD 法は不純物密度の制御が比較的容易なバルク結晶成長手法であり、半絶縁性SiC 結
晶を作製可能な手法の一つである。本研究では、高温CVD 法において窒素ガスを供給しないノン
ドープでのSiC バルク成長により残留不純物密度を低減したSiC 結晶を作製し、取得した結晶の
電気抵抗率や結晶欠陥の評価を行った。