[15p-W8E_307-1~16] 15.6 IV族系化合物（SiC）

14:00 〜 14:15奨励賞エントリー

[15p-W8E_307-3] 高温CVD 法により作製した高抵抗4H-SiC バルク結晶の評価

〇藤榮 文博¹、松澤 智¹、浅田 聡志¹、沓澤 大¹、庄内 智博²、土田 秀一¹ (1.電中研、2.株式会社レゾナック)

キーワード：

炭化けい素、高温CVD、高抵抗

高温CVD 法は不純物密度の制御が比較的容易なバルク結晶成長手法であり、半絶縁性SiC 結
晶を作製可能な手法の一つである。本研究では、高温CVD 法において窒素ガスを供給しないノン
ドープでのSiC バルク成長により残留不純物密度を低減したSiC 結晶を作製し、取得した結晶の
電気抵抗率や結晶欠陥の評価を行った。