[15p-W8E_307-1~16] 15.6 Group IV Compound Semiconductors (SiC)

3:00 PM - 3:15 PM JST(6:00 AM - 6:15 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[15p-W8E_307-7] Formation Mechanism of Polycrystals on Crystal Surface in SiC Solution Growth

〇(M2)Hiroki Sugiura¹, Kentaro Kutsukake^1,2, Shunta Harada^1,2, Toru Ujihara^1,2 (1.Nagoya Univ., 2.IMaSS, Nagoya Univ.)

Keywords:

crystal growth

SiC溶液成長法は成長表面に多結晶が生成することが課題となっている。この多結晶は溶液内で生成した多結晶の付着が要因であることは明らかになったが、輸送メカニズムは明らかでない。そこで本研究では、溶液内の粒子の軌跡を計算することで輸送メカニズムの解明を試みた。結果として、成長表面の多結晶はるつぼ底面で生成する多結晶が120μm以上成長すると、浮力の作用で浮遊し、成長界面まで輸送されることが分かった。