講演情報
[15p-W8E_307-7]SiC溶液成長における成長表面上の多結晶生成メカニズム解明
〇(M2)杉浦 大輝1、沓掛 健太朗1,2、原田 俊太1,2、宇治原 徹1,2 (1.名大院工、2.名大未来研)
キーワード：
結晶成長
SiC溶液成長法は成長表面に多結晶が生成することが課題となっている。この多結晶は溶液内で生成した多結晶の付着が要因であることは明らかになったが、輸送メカニズムは明らかでない。そこで本研究では、溶液内の粒子の軌跡を計算することで輸送メカニズムの解明を試みた。結果として、成長表面の多結晶はるつぼ底面で生成する多結晶が120μm以上成長すると、浮力の作用で浮遊し、成長界面まで輸送されることが分かった。