[15p-W8E_307-1~16] 15.6 Group IV Compound Semiconductors (SiC)

3:15 PM - 3:30 PM JST(6:15 AM - 6:30 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[15p-W8E_307-8] Low-temperature deposition of SiC using vinylsilane with an ion beam

〇Koki Ono¹, Takayoshi Tsutsumi^1,2, Kenji Ishikawa^1,2, Wakana Takeuchi³, Kenichi Uehara⁴, Shigeo Yasuhara⁴, Masaru Hori², Hiromasa Tanaka^1,2 (1.Nagoya Univ. Eng., 2.cLPS, 3.Aichi Inst. Tech., 4.Japann Advanced Chemicals)

Keywords:

Silicon carbide,Ion beam,Low-temperature deposition

SiCはパワーデバイス材料として注目されている一方で、コーティング材料としても優れた特性を持っている。SiCの成膜温度は一般的には1000℃以上と高く、高温に耐えられる母材にしかコーティングできないという課題がある。このため、SiCのコーティング材料応用のためには成膜温度の低温化が必要である。熱エネルギーによって前駆体分子の結合を切断することで成膜が行われてきたが、本研究では熱に代わる手段としてイオンビームを用いることでSiCの低温成膜の可能性を検証した。