講演情報
[15p-W8E_307-8]イオンビームを用いたビニルシランによるSiC の低温成膜
〇小野 浩毅1、堤 隆嘉1,2、石川 健治1,2、竹内 和歌奈3、上原 賢一4、安原 重雄4、堀 勝2、田中 宏昌1,2 (1.名大院工、2.名大低温プラズマ、3.愛工大、4.ジャパンアドバンストケミカルズ)
キーワード：
シリコンカーバイド、イオンビーム、低温成膜
SiCはパワーデバイス材料として注目されている一方で、コーティング材料としても優れた特性を持っている。SiCの成膜温度は一般的には1000℃以上と高く、高温に耐えられる母材にしかコーティングできないという課題がある。このため、SiCのコーティング材料応用のためには成膜温度の低温化が必要である。熱エネルギーによって前駆体分子の結合を切断することで成膜が行われてきたが、本研究では熱に代わる手段としてイオンビームを用いることでSiCの低温成膜の可能性を検証した。