[15p-W9_324-1~14] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

4:30 PM - 4:45 PM JST(7:30 AM - 7:45 AM UTC)

[15p-W9_324-12] Defect Level Behavior in β-Ga₂O₃ Homoepitaxial Films Annealed in Nitrogen

〇Yoshitaka Nakano¹, Daiki Katsube², Takashi Ogawa², Yukari Ishikawa², Kohei Sasaki³, Akito Kuramata³ (1.Chubu Univ., 2.JFCC, 3.Novel Crystal Technology)

Keywords:

Ga2O3,defect level,high-temperature annealing

本発表では、窒素中で高温度アニール処理したUID β-Ga₂O₃ (001)ホモエピ膜を光容量分光(SSPC)計測し、アニール前後での欠陥準位挙動について検討したので報告する。