[15p-W9_324-1~14] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

16:30 〜 16:45

[15p-W9_324-12] 窒素中アニール処理したβ-Ga₂O₃ホモエピ膜の欠陥準位挙動

〇中野 由崇¹、勝部 大樹²、小川 貴史²、石川 由加里²、佐々木 公平³、倉又 朗人³ (1.中部大工、2.ファインセラミックスセンター、3.ノベルクリスタルテクノロジー)

キーワード：

酸化ガリウム、欠陥準位、高温度アニール

本発表では、窒素中で高温度アニール処理したUID β-Ga₂O₃ (001)ホモエピ膜を光容量分光(SSPC)計測し、アニール前後での欠陥準位挙動について検討したので報告する。