[15p-W9_324-1~14] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

2:15 PM - 2:30 PM JST(5:15 AM - 5:30 AM UTC)

[15p-W9_324-4] Tin Oxide Thin-Film Deposition on Carbon Substrates by Mist CVD

〇Seiichiro Shima¹, Mahiro Ushida¹, Takuya Harada², Junji Takada², Isao Takahashi³, Kentaro Kaneko^3,4 (1.Ritsumeikan Univ., 2.TOYO TANSO, 3.ROST Ritsumeikan Univ., 4.RISA)

Keywords:

Oxide Thin Film,Carbon,SnO2

等方性黒鉛は優れた特性を有する一方、酸素や水蒸気雰囲気下で酸化する課題がある。本研究では、大気開放下で成膜可能なミストCVD法を用い、カーボン基板上への酸化物コーティングを試みた。キャリアガス流量を変化させた結果、高流量条件ではSn元素が検出され、Sn化合物が成膜されることが確認できた。これは、流量増加に伴う基板冷却によって蒸発が抑制された事と原料供給量増加による成膜促進効果と推察される。