[15p-W9_324-1~14] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

14:15 〜 14:30

[15p-W9_324-4] ミストCVD法によるカーボン基板上への酸化スズ成膜

〇島 誠一郎¹、牛田 真裕¹、原田 卓弥²、高田 順司²、高橋 勲³、金子 健太郎^3,4 (1.立命館大理工、2.東洋炭素株式会社、3.立命館大総研、4.立命館大半導体応用研究センター)

キーワード：

酸化物薄膜、カーボン、酸化スズ

等方性黒鉛は優れた特性を有する一方、酸素や水蒸気雰囲気下で酸化する課題がある。本研究では、大気開放下で成膜可能なミストCVD法を用い、カーボン基板上への酸化物コーティングを試みた。キャリアガス流量を変化させた結果、高流量条件ではSn元素が検出され、Sn化合物が成膜されることが確認できた。これは、流量増加に伴う基板冷却によって蒸発が抑制された事と原料供給量増加による成膜促進効果と推察される。