[15p-W9_324-1~14] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

2:30 PM - 2:45 PM JST(5:30 AM - 5:45 AM UTC)

[15p-W9_324-5] Luminescence study of defects in ZnO induced by reactive ion etching

〇Kohei Shima¹, Shoji Ishibashi², Akira Uedono³, Shigefusa Chichibu¹ (1.IMRAM-Tohoku Univ., 2.CCS-Univ. of Tsukuba, 3.Univ. of Tsukuba)

Keywords:

ZnO,reactive ion etching,photoluminescence

反応性イオンエッチングによりZnOに導入される欠陥の起源およびそれらが励起子寿命に与える影響について、フォトルミネッセンス法および陽電子消滅測定法を用いて評価した結果を報告する。