[15p-W9_324-1~14] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

14:30 〜 14:45

[15p-W9_324-5] ZnOにおける反応性イオンエッチング誘起欠陥のルミネッセンス評価

〇嶋 紘平¹、石橋 章司²、上殿 明良³、秩父 重英¹ (1.東北大多元研、2.筑波大CCS、3.筑波大数物系)

キーワード：

酸化亜鉛、反応性イオンエッチング、フォトルミネッセンス

反応性イオンエッチングによりZnOに導入される欠陥の起源およびそれらが励起子寿命に与える影響について、フォトルミネッセンス法および陽電子消滅測定法を用いて評価した結果を報告する。