[15p-WL2_401-1~13] 6.2 Carbon-based thin films

4:45 PM - 5:00 PM JST(7:45 AM - 8:00 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[15p-WL2_401-12] Epitaxial Growth of Diamond on Ir/ Sapphire Substrate

〇(DC)Masahiro Tsuji¹, Masanori Eguchi², Saha Niloy Chandra¹, Makoto Kasu^1,3 (1.Diamond Semiconductor Research Center, Saga Univ., 2.Synchrotron Research Center, Saga Univ., 3.Diamond Semiconductor Co., Ltd.)

Keywords:

Diamond,Epitaxial growth

我々は、独自に作成したIr(001)/サファイア(11-20)基板上にダイヤモンドを成長した。X線回折によりDiamond 111の回折ピーク、 Diamond 004 の回折ピークが現れダイヤモンドの薄膜が成長したことを確認した。
ダイヤモンド表面をSEM像により観察し、Diamond(001)のドメインが観察され、ダイヤモンド[110]はサファイア[0001]に配向していた。