[15p-WL2_401-1~13] 6.2 カーボン系薄膜

16:45 〜 17:00奨励賞エントリー

[15p-WL2_401-12] 大口径に向けたIr/サファイア基板上 ダイヤモンドのエピタキシャル成長

〇(DC)辻 政裕¹、江口 正徳²、ニロイ チャンドラ　サハ¹、嘉数 誠^1,3 (1.佐賀大ダイヤモンド半導体研究センター、2.佐賀大シンクロトロン、3.(株)ダイヤモンドセミコンダクター)

キーワード：

ダイヤモンド、エピタキシャル成長

我々は、独自に作成したIr(001)/サファイア(11-20)基板上にダイヤモンドを成長した。X線回折によりDiamond 111の回折ピーク、 Diamond 004 の回折ピークが現れダイヤモンドの薄膜が成長したことを確認した。
ダイヤモンド表面をSEM像により観察し、Diamond(001)のドメインが観察され、ダイヤモンド[110]はサファイア[0001]に配向していた。