[15p-WL2_401-1~13] 6.2 Carbon-based thin films

3:30 PM - 3:45 PM JST(6:30 AM - 6:45 AM UTC)

[15p-WL2_401-8] Selective homoepitaxial growth of buried diamond films with NV centers

〇Kan Hayashi^1,2,3, Nakamura Yuto², Katayama Madoka², Shimamura Kazutoshi⁴, Yoshida Riku², Kobayashi Kazuki¹, Ichikawa Kimiyoshi^1,2, Yoshikawa Taro^1,5, Matsumoto Tsubasa^1,2, Inokuma Takao^1,2, Yamasaki Satoshi^1,2, Christoph Nebel⁶, Tokuda Norio^1,2,3 (1.Kanazawa Univ. ARCDia, 2.Kanazawa Univ., 3.KU-FUSION, 4.Eng. and Tech. Dept., Kanazawa Uni., 5.Dicel, 6.Diacara)

Keywords:

selective etching,buried CVD growth,NV center

ダイヤモンド中NVセンターは量子センサおよび量子情報分野で応用研究が盛んに行われている。応用の鍵はNV電子スピンと周囲スピンの相互作用制御にあり、そのため空間配置制御が重要となる。本研究ではH₂+N₂プラズマとメタルマスクを組み合わせることによるダイヤモンド選択エッチング技術を用いることで、(111)基板に対する高配向NVセンターの埋め込み成長技術を開発したので、それに関して報告する。