講演情報
[15p-WL2_401-8]高配向NVセンターの選択的CVD埋め込み成長技術の開発
〇林 寛1,2,3、中村 勇斗2、片山 まどか2、島村 一利4、吉田 利紅2、小林 和樹1、市川 公善1,2、吉川 太朗1,5、松本 翼1,2、猪熊 孝夫1,2、山崎 聡1,2、Christoph Nebel6、徳田 規夫1,2,3 (1.金沢大 ARCDia、2.金沢大 理工、3.未来視内視鏡講座、4.金沢大総技、5.(株)ダイセル、6.Diacara)
キーワード：
選択エッチング、埋め込みCVD成長、NVセンター
ダイヤモンド中NVセンターは量子センサおよび量子情報分野で応用研究が盛んに行われている。応用の鍵はNV電子スピンと周囲スピンの相互作用制御にあり、そのため空間配置制御が重要となる。本研究ではH₂+N₂プラズマとメタルマスクを組み合わせることによるダイヤモンド選択エッチング技術を用いることで、(111)基板に対する高配向NVセンターの埋め込み成長技術を開発したので、それに関して報告する。