[15p-WL2_401-1~13] 6.2 Carbon-based thin films

3:45 PM - 4:00 PM JST(6:45 AM - 7:00 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[15p-WL2_401-9] Formation of high-density nitrogen delta-doping diamond layer via point-arc plasma chemical vapor deposition method

〇Shota Kikumoto^1,2, Kazuki Abe^1,2, Naragino Hiroshi², Yoshitake Tsuyoshi², Kageura Taisuke¹ (1.AIST, 2.IGSES, Kyushu Univ.)

Keywords:

diamond,NV center,microwave plasma chemical vapor deposition

本研究では、NVセンターを利用した量子センサーの高感度化を目指した窒素δドープダイヤモンド薄膜の形成手法を開発した。基板―プラズマ間の距離を離した尖端放電型マイクロ波プラズマ化学気相成長(MPCVD)法により、高密度窒素ドープと低速成長を両立する合成条件が得られた。