講演情報
[15p-WL2_401-9]尖端放電型プラズマ化学気相成長法による高密度窒素δドープダイヤモンド薄膜形成
〇菊本 翔太1,2、阿部 一輝1,2、楢木野 宏2、吉武 剛2、蔭浦 泰資1 (1.産総研、2.九大院総理工)
キーワード：
ダイヤモンド、NVセンター、マイクロ波プラズマ化学気相成長
本研究では、NVセンターを利用した量子センサーの高感度化を目指した窒素δドープダイヤモンド薄膜の形成手法を開発した。基板―プラズマ間の距離を離した尖端放電型マイクロ波プラズマ化学気相成長(MPCVD)法により、高密度窒素ドープと低速成長を両立する合成条件が得られた。