[16a-M_178-1~11] 17.3 Layered materials

10:45 AM - 11:00 AM JST(1:45 AM - 2:00 AM UTC)

[16a-M_178-7] Developer tolerance of PVD-grown MoS₂ films

〇Kotaro Kobayashi¹, Jaehyo Jang¹, Naoki Matsunaga¹, Shunsuke Nozawa¹, Hitoshi Wakabayashi¹ (1.Science Tokyo)

Keywords:

TMDC,MoS2

代表的なTMDCであるMoS₂は、FETチャネル材料として盛んに研究されている。FETの作製プロセスにおいては、ウェットプロセスを避けることができないが、TMDCについて、これまで十分な検討がなされているとはいえない。そこで本研究では、現像におけるウェットプロセスに用いられるTMAHをDIで希釈した溶液 (NMD3)、超純水 (DI)、MIBKに対するMoS₂膜の耐性を評価した。