講演情報
[16a-M_178-7]PVD-MoS2膜の現像溶液耐性
〇小林 幸太郎1、ジャン ジェイヒョ1、松永 尚樹1、野澤 俊輔1、若林 整1 (1.東京科学大)
キーワード：
遷移金属ダイカルコゲナイド、MoS2
代表的なTMDCであるMoS2は、FETチャネル材料として盛んに研究されている。FETの作製プロセスにおいては、ウェットプロセスを避けることができないが、TMDCについて、これまで十分な検討がなされているとはいえない。そこで本研究では、現像におけるウェットプロセスに用いられるTMAHをDIで希釈した溶液 (NMD3)、超純水 (DI)、MIBKに対するMoS2膜の耐性を評価した。