[16a-W2_401-1~9] 15.4 III-V-group nitride crystals

10:00 AM - 10:15 AM JST(1:00 AM - 1:15 AM UTC)

[16a-W2_401-5] Analysis of Surface Defects on AlN Templates Affecting Leakage Current in n-AlGaN

〇Hiroki Yasunaga^1,2, Ryota Akaike^2,3, Koki Mizutani³, Takao Nakamura^2,3, Hideto Miyake^2,3 (1.Mie Univ. ORIP, 2.Mie Univ. IC-SDF, 3.Mie Univ. Grad. Sch. of Eng.)

Keywords:

Face to Face annealing,AlN

本研究では、スパッタ法を用いて作製されたAlNテンプレート（FFA Sp-AlN）上に成長したn-AlGaNにおける表面欠陥と逆方向リーク電流の関係を調べた。付着物に分類される表面欠陥のサイズが大きい電極ほどリーク電流が増大する傾向が確認された。さらにFIB-TEMおよびEDX解析により、これら付着物がAlおよびOを含む構造であることが分かり、AlNテンプレート上の表面欠陥低減がデバイス信頼性向上に重要であることが示唆された。