講演情報
[16a-W2_401-5]n-AlGaNにリーク電流を及ぼすAlNテンプレート上表面欠陥の解析
〇安永 弘樹1,2、赤池 良太2,3、水谷 洸貴3、中村 孝夫2,3、三宅 秀人2,3 (1.三重大研基機構、2.三重大半デセンター、3.三重大院工)
キーワード：
FFA、AlN
本研究では、スパッタ法を用いて作製されたAlNテンプレート（FFA Sp-AlN）上に成長したn-AlGaNにおける表面欠陥と逆方向リーク電流の関係を調べた。付着物に分類される表面欠陥のサイズが大きい電極ほどリーク電流が増大する傾向が確認された。さらにFIB-TEMおよびEDX解析により、これら付着物がAlおよびOを含む構造であることが分かり、AlNテンプレート上の表面欠陥低減がデバイス信頼性向上に重要であることが示唆された。