[16a-W8E_101-1~9] 13.7 Compound and power devices, process technology and characterization

9:45 AM - 10:00 AM JST(12:45 AM - 1:00 AM UTC)

[16a-W8E_101-2] Channeled implantation of Mg ions into GaN on sapphire substrate.

〇Atsushi Suyama^1,2, Hideaki Minagawa², Masahiko Aoki², Kazuhiro Yokota², Jun Suda¹ (1.Nagoya Univ., 2.Ion Technology Center.)

Keywords:

GaN,Channeling implantation,GaN on sapphire

本研究では、転位密度の高いGaN on sapphire基板(～10⁸ cm^-2)へMgイオンのチャネリング注入を行い、転位密度の低いGaN on GaN基板(～10⁶ cm^-2)との比較を通じて、転位密度がMgイオンのチャネリングに与える影響を評価した。