[16a-W8E_101-1~9] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

9:45 〜 10:00

[16a-W8E_101-2] GaN on sapphire基板へのMgイオンのチャネリング注入

〇須山 篤志^1,2、南川 英輝²、青木 正彦²、横田 一広²、須田 淳¹ (1.名大院工、2.イオンテクノセンター)

キーワード：

GaN、チャネリング注入、GaN on サファイア

本研究では、転位密度の高いGaN on sapphire基板(～10⁸ cm^-2)へMgイオンのチャネリング注入を行い、転位密度の低いGaN on GaN基板(～10⁶ cm^-2)との比較を通じて、転位密度がMgイオンのチャネリングに与える影響を評価した。