[16a-W8E_101-1~9] 13.7 Compound and power devices, process technology and characterization

10:00 AM - 10:15 AM JST(1:00 AM - 1:15 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[16a-W8E_101-3] Evaluation of traps in p-GaN layers with low-concentration Mg ion implantation and ultra-high-pressure annealing

〇Honoka Itakura¹, Masahiro Horita^1,2, Tetsu Kachi², Jun Suda^1,2 (1.Nagoya Univ., 2.Nagoya Univ. IMaSS)

Keywords:

Mg ion implantation,ultra-high-pressure annealing,Deep level transient spectroscopy

GaN縦型パワーデバイスの実現には、Mgイオン注入による局所的なp型領域形成が必要となる。しかし、Mgイオン注入および超高圧アニール (UHPA) 後のGaN中には補償ドナーとなる欠陥が多く存在し、ドーピング制御を困難にしている。本研究では、Mgイオン注入およびUHPAを行ったGaNに対し、過渡容量分光法 (DLTS) を用いてトラップ評価を行った。