[16a-W8E_101-1~9] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

10:00 〜 10:15奨励賞エントリー

[16a-W8E_101-3] 低濃度Mgイオン注入および超高圧アニールを行った p 型GaN層に存在するトラップの評価

〇板倉 ほの香¹、堀田 昌宏^1,2、加地 徹²、須田 淳^1,2 (1.名大院工、2.名大未来研)

キーワード：

Mgイオン注入、超高圧アニール、DLTS

GaN縦型パワーデバイスの実現には、Mgイオン注入による局所的なp型領域形成が必要となる。しかし、Mgイオン注入および超高圧アニール (UHPA) 後のGaN中には補償ドナーとなる欠陥が多く存在し、ドーピング制御を困難にしている。本研究では、Mgイオン注入およびUHPAを行ったGaNに対し、過渡容量分光法 (DLTS) を用いてトラップ評価を行った。