[16a-W8E_101-1~9] 13.7 Compound and power devices, process technology and characterization

11:15 AM - 11:30 AM JST(2:15 AM - 2:30 AM UTC)

[16a-W8E_101-7] Origin of Near-interface Donor-type Defects in p-GaN MOS Structures

〇Masanobu Takahashi¹, Takahiro Shimazaki¹, Taketomo Sato¹, Masamichi Akazawa¹ (1.RCIQE, Hokkaido Univ.)

Keywords:

GaN

p-GaN MOS 構造の容量－電圧（C–V）特性は負電圧方向に大幅にシフトする傾向がある。シフトの原因である正電荷としてGaN表面近傍にドナー準位が発生している可能性が高い。我々はPECエッチングとキャップアニールを組み合わせることでシフトを低減できることを報告してきた。本研究ではさらにPL測定を合わせることでドナー欠陥の同定を試みた。