[16a-W8E_101-1~9] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

11:15 〜 11:30

[16a-W8E_101-7] p-GaN MOS構造に生じる界面近傍ドナー欠陥の起源

〇高橋 尚伸¹、嶋崎 喬大¹、佐藤 威友¹、赤澤 正道¹ (1.北大量集センター)

キーワード：

窒化ガリウム

p-GaN MOS 構造の容量－電圧（C–V）特性は負電圧方向に大幅にシフトする傾向がある。シフトの原因である正電荷としてGaN表面近傍にドナー準位が発生している可能性が高い。我々はPECエッチングとキャップアニールを組み合わせることでシフトを低減できることを報告してきた。本研究ではさらにPL測定を合わせることでドナー欠陥の同定を試みた。