[16a-W8E_101-1~9] 13.7 Compound and power devices, process technology and characterization

11:30 AM - 11:45 AM JST(2:30 AM - 2:45 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[16a-W8E_101-8] A Two-Step Plateau Emerging with Increasing Temperature in the Capacitance–Voltage Characteristics of AlSiO/p-GaN MOS Capacitors

〇Fumiyuki Sei¹, Kenji Ito², Masahiro Horita^1,2, Tetsu Kachi², Jun Suda^1,2 (1.Department of Electronics, Nagoya Univ., 2.Nagoya Univ. IMaSS)

Keywords:

GaN,MOS,C-V

AlSiO/GaN界面の価電子帯近傍を評価するために，AlSiO/p-GaN MOSキャパシタのC–V特性を測定温度30–200℃で評価した．30℃ではフェルミレベルピニング起因の単一プラトーを示したが，測定温度の上昇に伴い，途中から容量が再上昇し，再度容量の増加が小さくなる現象が見られた．200°Cにおいては二段階目のプラトーが顕在化した．この二段階プラトーのメカニズムについて議論する．