[16a-W8E_101-1~9] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

11:30 〜 11:45奨励賞エントリー

[16a-W8E_101-8] AlSiO/p-GaN MOSキャパシタの容量-電圧特性において温度上昇に伴い顕在化する二段階プラトー

〇清 史幸¹、伊藤 健治²、堀田 昌宏^1,2、加地 徹²、須田 淳^1,2 (1.名大院工、2.名大未来研)

キーワード：

GaN、MOS、C-V

AlSiO/GaN界面の価電子帯近傍を評価するために，AlSiO/p-GaN MOSキャパシタのC–V特性を測定温度30–200℃で評価した．30℃ではフェルミレベルピニング起因の単一プラトーを示したが，測定温度の上昇に伴い，途中から容量が再上昇し，再度容量の増加が小さくなる現象が見られた．200°Cにおいては二段階目のプラトーが顕在化した．この二段階プラトーのメカニズムについて議論する．