[16a-W9_324-1~12] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

9:00 AM - 9:15 AM JST(12:00 AM - 12:15 AM UTC)

[16a-W9_324-1] Three-dimensional visualization of lattice defects in β-Ga₂O₃ crystals using synchrotron X-ray topo-tomography

〇Yongzhao Yao^1,2, Daiki Katsube², Hirotaka Yamaguchi², Yoshihiro Sugawara², Kohei Sasaki³, Akito Kuramata³, Yukari Ishikawa² (1.Mie Univ., 2.JFCC, 3.Novel Crystal Technology)

Keywords:

Ga2O3,X-ray topo-tomography,dislocation

結晶成長過程における欠陥低減や、デバイス設計時の最適な構造設計には、欠陥分布を三次元的（3D）に把握することが不可欠であるが、これまで有効な3D可視化技術は確立されていなかった。本研究では、異常透過を利用した透過配置のX線トポグラフィー法に基づき、ブラッグ回折条件を保持したまま試料を回転させ、回折コントラストを用いて転位や積層欠陥、歪み場を三次元的に可視化可能なX線トポ・トモグラフィーに着目し、β型Ga2O3結晶中の格子欠陥の3D可視化技術の確立に取り組んだ。