Presentation Information
[16a-W9_324-11]Identification of Killer Defects in (011) HVPE-Grown b-Ga2O3 Schottky Barrier Diodes
〇Masanori Eguchi1, Makoto Sato2, Syotaro Nakaniwa2, Niloy Chandra Saha2, Chia-Hung Lin3, Kohei Sasaki3, Makoto Kasu2 (1.Saga Univ. Synchro., 2.Saga Univ., 3.Novel Crystal Technology)
Keywords:
(011) HVPE-Grown Ga2O3,Schottky Barrier Diodes,Killer Defects
我々はこれまでに転位密度が低い（011）面HVPE膜おいて、多結晶欠陥とそれに伴う（100）面のクラックのキラー欠陥を報告した。本報では、あらたに発見したキラー欠陥が（011）HVPE膜に生じた多結晶欠陥と[100]方向、[0-11]方向の線状欠陥であることを報告する。