Presentation Information
[16a-W9_324-6]Application of Metal Nitrides as Schottky Electrode Materials for β-Ga2O3
〇Yuta Nishizuru1, Yuki Uto1, Daiki Nakamura1, Yasuo Ohno2, Shinkai Satoko1 (1.Kyushu Inst. Tech., 2.Laser Systems Inc.)
Keywords:
gallium oxide,semiconductor
β-Ga2O3は、大きな絶縁破壊電界強度を有することからマイクロ波無線電力伝送における受電側レクテナダイオードへの応用が期待されている。β-Ga2O3に対するショットキー電極としては一般的にNiが用いられているが、純金属であるNiは結晶欠陥を介した基板側への拡散が懸念される。そこで本研究では、化学的安定性に優れた金属窒化物に着目し、ショットキー電極として適用したβ-Ga2O3 SBDを試作した。