講演情報
[16a-W9_324-6]β-Ga2O3におけるショットキー電極材料としての金属窒化物の適用
〇西水流 悠太1、宇都 佑紀1、中村 大輝1、大野 泰夫2、新海 聡子1 (1.九工大、2.（株）レーザーシステム)
キーワード：
酸化ガリウム、半導体
β-Ga2O3は、大きな絶縁破壊電界強度を有することからマイクロ波無線電力伝送における受電側レクテナダイオードへの応用が期待されている。β-Ga2O3に対するショットキー電極としては一般的にNiが用いられているが、純金属であるNiは結晶欠陥を介した基板側への拡散が懸念される。そこで本研究では、化学的安定性に優れた金属窒化物に着目し、ショットキー電極として適用したβ-Ga2O3 SBDを試作した。