Presentation Information
[16a-W9_324-7]Electrical characterization and current transport of NiOx/β-Ga2O3 heterojunction diodes
〇AKihira Munakata1, Hironobu Miyamoto2, Kohei Sasaki2, Takuya Maeda1 (1.Univ. of Tokyo, 2.Novel Crystal Technology, Inc.)
Keywords:
gallium oxide,nickel oxide,current transport
NiOx/β-Ga2O3 (001)ヘテロ接合ダイオードの電流輸送機構を調べた．デバイス上部から1–4 eVの光を照射すると，2.53 eVを閾値として，IPEに起因すると見られる光電流が生じた．I-V測定では理想因子がn~1であったことから熱電子放出(TE)モデルで解析すると，得られた障壁高さはC-V，光電流分光測定と一貫した結果を示し，TE輸送が電流を制限していることが示唆される．