Presentation Information
[16p-PA3-9]Crystal polarity analysis of GaN films using Electron Backscatter Diffraction
〇Ken Matsumura1, Mirei Tokiwa2, Hidehiko Misaki2, Yoshihiro Ueoka2, Masami Mesuda2 (1.Tosoh Analysis and Research Center Co., Ltd., 2.Tosoh Corp.)
Keywords:
GaN,crystal polarity analysis,EBSD
GaNの極性は膜成長や表面物性等に影響するため、極性制御・把握が重要である。今回、我々は走査電子顕微鏡（SEM）-電子後方散乱回折（EBSD）のパターンマッチング手法に着目し、スパッタリング法 やMOCVD法で成膜したGaN薄膜について、広範囲から局所領域までを狙ってGaN極性判定及び分布を定量的に解析できることを明らかにした。