講演情報
[16p-PA3-9]電子後方散乱回折によるGaN薄膜の極性解析
〇松村 賢1、常盤 美怜2、三崎 日出彦2、上岡 義弘2、召田 雅実2 (1.東ソー分析センター、2.東ソー)
キーワード：
窒化ガリウム、極性解析、電子後方散乱回折
GaNの極性は膜成長や表面物性等に影響するため、極性制御・把握が重要である。今回、我々は走査電子顕微鏡（SEM）-電子後方散乱回折（EBSD）のパターンマッチング手法に着目し、スパッタリング法 やMOCVD法で成膜したGaN薄膜について、広範囲から局所領域までを狙ってGaN極性判定及び分布を定量的に解析できることを明らかにした。