Presentation Information
[16p-PA4-4]The Effect of Substrate Temperature on Orientation and Density of Ge Wires
Grown on Quartz Substrate by PECVD.
〇Mihaeru Uematsu1, Shin-ichi Kobayashi1 (1.Tokyo Polytechnic Univ.)
Keywords:
Ge Wire,Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition,Quartz Substrate
我々は絶縁基板上の低欠陥Ge成長の研究を進めており、石英ガラス基板上に垂直方向に配向するGeワイヤを、プラズマCVD法によるAuを触媒としたVLS法によって実現した。講演では、Geワイヤ成長におけるワイヤ配向性・密度への基板温度の影響について議論する。