[16p-PA4-1~10] 15.5 IV族結晶，IV-IV族混晶

[16p-PA4-4] プラズマCVDによるGeワイヤ成長におけるワイヤ配向性・密度への基板温度の影響

〇植松 実生¹、小林 信一¹ (1.東京工芸大工)

キーワード：

Geワイヤ、プラズマCVD、石英基板

我々は絶縁基板上の低欠陥Ge成長の研究を進めており、石英ガラス基板上に垂直方向に配向するGeワイヤを、プラズマCVD法によるAuを触媒としたVLS法によって実現した。講演では、Geワイヤ成長におけるワイヤ配向性・密度への基板温度の影響について議論する。