Presentation Information
[16p-PA7-19]Impact of Metal Thin-Film Formation on Raman Spectra of Monolayer MoS2
〇Tetsuhiko Tanikawa1,2, Chang Wen-Hsin1, Nishino Ryutaro1, Kawanago Takamasa1, Irisawa Toshifumi1, Okada Naoya1 (1.SFRC, AIST, 2.Nihon Univ.)
Keywords:
semiconductor,transistor,TMDC
微細トランジスタのチャネル材料として遷移金属ダイカルコゲナイド（TMDC）が期待されている。このトランジスタの高性能化には、ソース／ドレイン部でのコンタクト抵抗低減が必要である。金属/TMDC界面がコンタクト抵抗へ与える影響については、未だ本質的に明らかにされていない。その理解に向けて、本研究ではMoS2上への金属薄膜の形成がMoS2へ与える影響を調べた。