講演情報
[16p-PA7-19]金属薄膜形成が単層MoS2のラマンスペクトルに与える影響
〇谷川 哲彦1,2、張 文馨1、西野 隆太郎1、川那子 高暢1、入沢 寿史1、岡田 直也1 (1.産総研 SFRC、2.日大理工)
キーワード：
半導体、トランジスタ、TMDC
微細トランジスタのチャネル材料として遷移金属ダイカルコゲナイド（TMDC）が期待されている。このトランジスタの高性能化には、ソース／ドレイン部でのコンタクト抵抗低減が必要である。金属/TMDC界面がコンタクト抵抗へ与える影響については、未だ本質的に明らかにされていない。その理解に向けて、本研究ではMoS2上への金属薄膜の形成がMoS2へ与える影響を調べた。