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[16p-PA7-31]Nonvolatile Memory Devices Based on Ionic Liquid Gating in Two-Dimensional Semiconductor Materials for Neuromorphic Applications
〇(M1C)Shuto Kazama1, Akira Aikawa1, Shouta Sato1, Ren Ogawa1, Aoi Matumoto1, Yoriko Suda1, Ryoma Hayakawa1,2, Yutaka Wakayama2, Shu Nakaharai1 (1.Tokyo Univ Tech., 2.NIMS)
Keywords:
semiconductor,2D materials,non-volatile memory
本研究では、ニューロモーフィックデバイスの実現に向けて、2次元物質の電界効果トランジスタにイオン性液体ゲートを用いた不揮発性メモリデバイスの試作を行ったところ、不揮発性メモリとして閾値の変化が得られた。さらにイオン性液体からのゲート電圧掃引における閾値が、シリコン基板のバックゲートから印加した電圧の値によって連続的に変化する様子が観測された。