講演情報
[16p-PA7-31]二次元物質半導体におけるイオン性液体ゲートのニューロモーフィック応用に向けた不揮発性メモリデバイス
〇(M1C)風間 柊飛1、相川 耀1、佐藤 翔太1、小川 蓮1、松本 蒼生1、須田 順子1、早川 竜馬1,2、若山 裕2、中払 周1 (1.東京工科大工、2.物質・材料研究機構)
キーワード：
半導体、2次元物質、不揮発性メモリ
本研究では、ニューロモーフィックデバイスの実現に向けて、2次元物質の電界効果トランジスタにイオン性液体ゲートを用いた不揮発性メモリデバイスの試作を行ったところ、不揮発性メモリとして閾値の変化が得られた。さらにイオン性液体からのゲート電圧掃引における閾値が、シリコン基板のバックゲートから印加した電圧の値によって連続的に変化する様子が観測された。