Presentation Information
[16p-PA7-37]Formation of 2D Contacts for WSe2 P-FET Toward Suppressing Ambipolar Operation
〇Toshinari Sugiyama1, Satoru Morito2, Ayaka Wakabayashi2, Tomonori Nishimura1, Kaito Kanahashi1, Takashi Taniguchi3, Kenji Watanabe3, Keiji Ueno2, Kosuke Nagashio1 (1.UTokyo, 2.Saitama Univ., 3.NIMS)
Keywords:
2D semiconductor,P-FET,WSe2
MoSe2をコンタクト材料として用いたFETを作製し，20-nm HfO2上の2D/Niコンタクトデバイスでアンバイポーラ動作を抑制しつつ，SS < 80 mV/decを実現するP型動作を確認した．