講演情報
[16p-PA7-37]アンバイポーラ動作抑制に向けたWSe2 P-FETの2Dコンタクト形成
〇杉山 紀成1、森戸 智2、若林 采佳2、西村 知紀1、金橋 魁利1、谷口 尚3、渡邊 賢司3、上野 啓司2、長汐 晃輔1 (1.東大マテ工、2.埼玉大、3.NIMS)
キーワード：
二次元半導体、P-FET、WSe2
MoSe2をコンタクト材料として用いたFETを作製し，20-nm HfO2上の2D/Niコンタクトデバイスでアンバイポーラ動作を抑制しつつ，SS < 80 mV/decを実現するP型動作を確認した．